SiCウェーハ販売
SiCの高性能半導体材料特性とその多彩な応用分野
単結晶SiC(シリコンカーバイド・炭化ケイ素)はSi:50%、C:50%のⅣ-Ⅳ族化合物であり高硬度で耐熱性、耐久性に優れています。ショットキーバリアダイオード(SBD)や電界効果トランジスタ(パワーMOSFET)などのパワー半導体用素材、RFアンプや発光ダイオード(LED)用基板として幅広く用いられています。従来のSi(シリコン)に比べてバンドギャップが大きい・熱伝導が優れている・スイッチングスピードが速い・高電圧動作(高耐圧)が可能・絶縁破壊電界強度が高いなどの特徴を持ち、小型・低消費電力・高周波デバイス用素材として期待されています。パワー半導体の用途としては、電気自動車(EV)・再生可能エネルギー(太陽光発電・風力発電)・鉄道車両・データセンターなどのインバーター・コンバーターなどに使用されており、今後も省エネルギーに関わる幅広い分野に拡大することが予測されています。
材料特性 | Si | 4H-SiC | 比較 | SiCの特徴 |
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バンドギャップ(eV) | 1.1 | 3.3 | 3倍 | 高温安定動作 |
絶縁破壊電界(MV/cm) | 0.3 | 2.5 | 10倍 | 高耐圧・低on抵抗 |
熱電導率(W/cm・K) | 1.5 | 4.9 | 3倍 | 放熱性がよい |
電子飽和速度(107cm/s) | 1.0 | 2.2 | 2倍 | 高速スイッチング動作 |
セーレンKSTのSiCウェーハ販売
セーレンKSTでは昇華法(PVT法)で生成された単結晶SiCウェーハ、インゴットを提供しています。導電性のN-タイプ、半絶縁のSI-タイプの2種類があり、ウェーハサイズは4インチ(100mmΦ)・6インチ(150mmΦ)を扱っており8インチ(200mmΦ)は開発中です。
品質グレードは、結晶欠陥(マイクロパイプ・BPD等)が少ない高品質グレードのプライムから研究用のリサーチグレード、低価格のダミーグレードまで取り揃えております。ウェーハ表面状態はCMP仕上げやラップ仕上げの状態での出荷も可能です。
提携工場との連携でSiCウェーハの洗浄および、ダイシング加工(チップ化)等の加工工事も対応も可能です。少数枚数は1枚からでもお受けいたします。また、標準仕様にないお客様ニーズに合せたカスタム仕様も対応致しますのでご相談ください。