SiCウェーハ販売
SiCの高性能半導体材料特性とその多彩な応用分野
単結晶ＳｉＣ（シリコンカーバイド・炭化ケイ素）はSi:50%、C:50%のⅣ-Ⅳ族化合物であり高硬度で耐熱性、耐久性に優れています。ショットキーバリアダイオード（SBD）や電界効果トランジスタ（パワーMOSFET）などのパワー半導体用素材、RFアンプや発光ダイオード（LED）用基板として幅広く用いられています。従来のＳｉ（シリコン）に比べてバンドギャップが大きい・熱伝導が優れている・スイッチングスピードが速い・高電圧動作（高耐圧）が可能・絶縁破壊電界強度が高いなどの特徴を持ち、小型・低消費電力・高周波デバイス用素材として期待されています。パワー半導体の用途としては、電気自動車（ＥＶ）・再生可能エネルギー（太陽光発電・風力発電）・鉄道車両・データセンターなどのインバーター・コンバーターなどに使用されており、今後も省エネルギーに関わる幅広い分野に拡大することが予測されています。
| 材料特性 | Si | 4H-SiC | 比較 | SiCの特徴 |
|---|---|---|---|---|
| バンドギャップ（eV） | 1.1 | 3.3 | 3倍 | 高温安定動作 |
| 絶縁破壊電界（MV/cm） | 0.3 | 2.5 | 10倍 | 高耐圧・低on抵抗 |
| 熱電導率（W/cm・K） | 1.5 | 4.9 | 3倍 | 放熱性がよい |
| 電子飽和速度（107cm/s） | 1.0 | 2.2 | 2倍 | 高速ｽｲｯﾁﾝｸﾞ動作 |
セーレンKSTのSiCウェーハ販売
セーレンＫＳＴでは昇華法（ＰＶＴ法）で生成された単結晶ＳｉＣウェーハ、インゴットを提供しています。導電性のN-タイプ、半絶縁のSI-タイプの２種類があり、ウェーハサイズは４インチ（100mmΦ）・６インチ（150mmΦ）を扱っており８インチ（200mmΦ）は開発中です。
品質グレードは、結晶欠陥（マイクロパイプ・ＢＰＤ等）が少ない高品質グレードのプライムから研究用のリサーチグレード、低価格のダミーグレードまで取り揃えております。ウェーハ表面状態はCMP仕上げやラップ仕上げの状態での出荷も可能です。
提携工場との連携でSiCウェーハの洗浄および、ダイシング加工(チップ化)等の加工工事も対応も可能です。少数枚数は１枚からでもお受けいたします。また、標準仕様にないお客様ニーズに合せたカスタム仕様も対応致しますのでご相談ください。
