成膜加工サービス
当社では、半導体製造プロセスに関わる研究開発用途の各種成膜プロセスおよび各種膜付ウェーハをご提供いたします。
専業メーカーである当社が持つ豊富な加工メニューは、お客様の様々なニーズにお応えしております。
また、当社独自の超厚膜熱酸化膜形成技術は光通信を支える光デバイスに欠かす事のできない材料となっており、当社の製品･技術が世界の通信機器メーカーや光部品メーカーに採用されています。
加工対応可能一覧
| 種類分類 | 製法 | 膜種 |
|---|---|---|
| 酸化膜系 | 熱酸化膜 | 薄膜熱酸化膜 |
| 超厚膜熱酸化膜 | ||
| LP-CVD | LP-SiO2 | |
| HTO | ||
| LP-TEOS | ||
| PE-CVD | PE-SiO2 | |
| PE-TEOS | ||
| HDP | ||
| Low-k（BD、BDⅡ、AURORA、CORAL） | ||
| PSG | ||
| NSG | ||
| BPSG | ||
| スピンコート | SOG | |
| アニール炉 | RTO | |
| 窒化膜系 | LP-CVD | LP-SiN |
| PE-CVD | PE-SiN | |
| シリコン膜 | LP-CVD | Poly-Si |
| Amorphous-Si | ||
| 有機膜膜系 | スピンコート | G線 レジスト |
| I線 レジスト | ||
| KrF レジスト | ||
| ArF レジスト | ||
| ポリイミド（感光性、非感光性） | ||
| メタル系 | スパッタ | Al、Al-Si、Al-Si-Cu、Al-Cu |
| Ti、TiN | ||
| Ta、TaN | ||
| Cr | ||
| Cu | ||
| W | ||
| Ni | ||
| Au | ||
| Pt | ||
| ITO | ||
| その他 | ||
| メッキ | Ti、Ni、Au、Cu その他 | |
| CVD | W-Si |
※ウェーハサイズにより加工対応の可否がございますので、詳しくは担当までご相談下さい。
※上記以外の膜種も対応しておりますので、ご希望の膜種をお問い合わせ下さい。
| 自社クリーンルーム | |
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厚膜熱酸化膜加工
Undercladding wafer for AWG
光導波路（AWG）では、アンダークラッド層と呼ばれる最下部のSiO2膜が生産歩留まりを決定づけるほど非常に大きな役割を担っています。 セーレンKSTの厚膜熱酸化膜は、優れた表面清浄度と安定した膜質で世界のトップシェアを獲得しました。
保証スペック
| 項目 | 仕様 |
|---|---|
| 膜厚 | 20um±5%（最大膜厚） |
| 面内均一性 | ±0.5% |
| 面間均一性 | ±0.5% |
| 屈折率(@1550nm) | 1.4458±0.0001 |
標準品ラインナップ
| サイズ | ウェーハ厚み | 熱酸化膜厚 |
|---|---|---|
| 4インチ | 525um 1mm | 15um、20um |
| 6インチ | 625um 675um 1mm | 15um、20um |
| 8インチ | 725um | 15um、20um |
| 12インチ | 775um | 15um |
※上記のウェーハサイズおよび膜厚は、セーレンKSTの標準品を記載しています。
※その他のサイズおよび膜厚も対応可能です。（最高膜厚20µmまで）
屈折率面内分布データ
表面粗さデータ
