製品とサービス 製品情報 厚膜熱酸化膜加工 当社の厚膜熱酸化膜技術は光通信部材に利用されています。 シリコンの限界を超えたシリコン。それが私たちの厚膜形成技術です。 詳しくはこちら SOIウェーハ 当社のSOIウェーハは、自社独自の厚膜熱酸化膜技術を基に製作されております。 こちらMEMS分野において大変有効です。 詳しくはこちら 基板販売 半導体用および光通信用、その他各種製品用途としてご提供いたします。 サイズや製法、面方位や厚みなどお客様のニーズに合わせた製品をご提供できます。 詳しくはこちら SiCウェーハ販売 SiCウェーハは絶縁破壊電界強度がSiの10倍、熱伝導度が3倍と優れておりパワーデバイスやLED用途といして幅広く使用されています。 詳しくはこちら 最新情報 2024.07.09 当社が「Semiconductor Review Top10(シリコンウェーハ部門)」に選定されました。 2023.11.20 東京事務所の階層移転をいたしました。 2022.01.14 代表取締役社長が交代いたしました。 2021.09.10 電子デバイス産業新聞に記事が掲載されました。 2021.09.09 SiCウェーハの取扱いを開始いたしました。 2021.05.15 資本金を1億円に変更いたしました。 採用情報 募集情報はこちら
製品情報 厚膜熱酸化膜加工 当社の厚膜熱酸化膜技術は光通信部材に利用されています。 シリコンの限界を超えたシリコン。それが私たちの厚膜形成技術です。 詳しくはこちら SOIウェーハ 当社のSOIウェーハは、自社独自の厚膜熱酸化膜技術を基に製作されております。 こちらMEMS分野において大変有効です。 詳しくはこちら 基板販売 半導体用および光通信用、その他各種製品用途としてご提供いたします。 サイズや製法、面方位や厚みなどお客様のニーズに合わせた製品をご提供できます。 詳しくはこちら SiCウェーハ販売 SiCウェーハは絶縁破壊電界強度がSiの10倍、熱伝導度が3倍と優れておりパワーデバイスやLED用途といして幅広く使用されています。 詳しくはこちら
最新情報 2024.07.09 当社が「Semiconductor Review Top10(シリコンウェーハ部門)」に選定されました。 2023.11.20 東京事務所の階層移転をいたしました。 2022.01.14 代表取締役社長が交代いたしました。 2021.09.10 電子デバイス産業新聞に記事が掲載されました。 2021.09.09 SiCウェーハの取扱いを開始いたしました。 2021.05.15 資本金を1億円に変更いたしました。