SOI晶圓
SEIREN KST的SOI晶圓
SOI（Silicon on Insulator）晶圓是於氧化膜上 成形矽單結晶層為構造的晶圓。
於高速LSI、低耗電LSI、Power Device、 MEMS等領域被廣泛的使用。
本公司除了一般的SOI以外也可提供Cavity SOI晶圓、 Thick-BOX® SOI晶圓等特殊晶圓。
Cavity SOI晶圓對MEMS Device製造的工時與良率等有非常大的幫助，可大幅減少成本。並且Thick-BOX® SOI晶圓經本公司獨有的超厚膜熱氧化膜加工技術，可讓SOI晶圓擁有前所未有的Box層厚度，可提早實現矽光(Silicon Photonics)與超高耐壓的半導體power device。
對應範圍
| 對應尺寸 | 6inch 8inch |
|---|---|
| 活性層膜厚度 | 100nm※～200μm |
| 面內厚度精度 | 薄膜±15nm 厚膜±0.5μm |
| BOX層厚度 | 最大 20μm |
※ 活性層的薄膜晶圓為融合信越化學工業（株）的薄膜SOI技術與本公司厚膜技術的合作產品。
基版厚度可加工到≧350um。
活性層Wafer・BOX層・基版Wafer上可實施pattern加工(客戶端或是本公司)
貼合以後單片進行加工，所以可對應少量多種的加工。
研磨拋光加工為SOI加工的特徵，最小可做到SOI≧1um。
代表設備
貼合設備
Grinder設備
CMP設備
各種SOI晶圓介紹
Normal SOI…
一般ＳＯＩ晶圓由活性層／ＢＯＸ／基版所構成。除此，SOI-1、3層以外的構造也可對應。
例)SOI-1/BOX/SOI-2/基版Wafer etc
Cavity SOI…
積層構造晶圓內部裏已製作出空洞等的構造，可以削減切割後的製程，可提高產品的生產量。
Thick-BOX® SOI…
擁有3~20um的Ｂox層的SOI 晶圓。
可有效應用於高耐壓元件。
SOI晶圓 Cavity SOI…
Cavity SOI
Cavity SOI晶圓為層積構造晶圓內部擁有空洞等構造（Cavity構造）的SOI 晶圓。
可以消減切割後的製程，可提高產品的生產量。
並且，Cavity構造能夠在不同材質的基板上成形Box層，或是依照客戶需求來成形。
※以上的構造圖為在支持基板上形成Cavity的舉例。
其他、Box層的成形等、或是多歧特殊的成形也可對應，歡迎洽詢。
通過超音波探測器的Cavity SOI圖
SOIウェーハ Thick-BOX® SOI…
Thick-BOX® SOI
Thick-BOX® SOI晶圓是利用本公司獨有的厚膜熱氧化膜技術進行加工，並擁有厚Box層的SOI晶圓。可利用於超高耐壓半導體Power device。
而且，加速度Sensor、Ａctuator等需要用SOI晶圓的氧化膜作為犧牲層來進行蝕刻加工的Ｂulk-type MEMS上特別有效。犧牲層厚的話可以確保構造體在作動上有足夠的間距。可解決Sticking的問題擴大垂直方向動作範圍等等。並可提高良率且可用新的思維來進行，對Device的開發作出貢獻。
※以上的支持基板以及活性層的厚度只是舉例。
厚度可依照客戶的需求來製作。歡迎洽詢。
Thick-BOX® SOI晶圓的使用例
※Power Device IGBT
※Power Device IGBT