成膜加工・測試用晶圓
本公司提供半導體製程相關研究開發用途等各種成膜製程以及提供各種樣式的成膜晶圓。
身為專業製造商，本公司所擁有的豐富加工製程可對應並滿足客戶各種需求。此外，本公司獨有的超厚膜之熱氧化膜成形技術已成為光纖通信的光元件裡不可或缺的材料。本公司的產品與技術也被全世界通信機器製造商與光元件製造商所採用。
加工對應一覽表
| 分類 | 製法 | 膜的種類 |
|---|---|---|
| 氧化膜 | 熱氧化膜 | 薄膜熱氧化膜 |
| 超厚膜熱氧化膜 | ||
| LP-CVD | LP-SiO2 | |
| HTO | ||
| LP-TEOS | ||
| PE-CVD | PE-SiO2 | |
| PE-TEOS | ||
| HDP | ||
| Low-k（BD、BDⅡ、AURORA、CORAL） | ||
| PSG | ||
| NSG | ||
| BPSG | ||
| Spin Coat | SOG | |
| annealing oven | RTO | |
| 氮化膜 | LP-CVD | LP-SiN |
| PE-CVD | PE-SiN | |
| Silicon膜 | LP-CVD | Poly-Si |
| Amorphous-Si | ||
| 有機膜 | Spin Coat | G-line Resist |
| I-line Resist | ||
| KrF Resist | ||
| ArF Resist | ||
| Polyimide（感光性、非感光性） | ||
| 金屬 | 濺鍍 | Al、Al-Si、Al-Si-Cu、Al-Cu |
| Ti、TiN | ||
| Ta、TaN | ||
| Cr | ||
| Cu | ||
| W | ||
| Ni | ||
| Au | ||
| Pt | ||
| ITO | ||
| 其他 | ||
| 電鍍 | Ti、Ni、Au、Cu 其他 | |
| CVD | W-Si |
※因晶圓的尺寸所對應的加工會有不同，詳細請洽負責窗口。
※以上無記載的膜種也可對應，如有需求請洽詢。
| 無塵室 | |
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成膜加工
“厚膜熱氧化膜”用途
Undercladding wafer for AWG
在陣列波導光柵(AWG)裏，被稱為Under clad層之最下層的SiO2膜對生產良率有著非常大的決定性作用。 SEIREN KST的厚膜熱氧化膜以優越的表面潔淨度與安定的品質獲得全世界最高的市佔率。
保証規格
| 項目 | 規格 |
|---|---|
| 膜厚 | 20um±5%（最大膜厚度） |
| 面内均一性 | ±0.5% |
| 面間均一性 | ±0.5% |
| 折射率(@1550nm) | 1.4458±0.0001 |
標準品一覽
| 尺寸 | 晶圓厚度 | 熱氧化膜厚度 |
|---|---|---|
| 4inch | 525um 1mm | 15um、20um |
| 6inch | 625um 675um 1mm | 15um、20um |
| 8inch | 725um | 15um、20um |
| 12inch | 775um | 15um |
※以上的晶圓尺寸與膜厚為SEIREN KST的標準品。
※其他尺寸以及膜厚也可對應。（最高膜厚30µm）
折射率面内分布表面粗度資料
